NAND FLASH芯片W66BM6NBUAFI产品信息：

制造商：Winbond Electronics

制造商零件编号：W66BM6NBUAFI TR

简要描述：2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, INDUS

对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

NAND FLASH芯片W66BM6NBUAFI一般信息：

数据列表：W66xL6Nxx, W66xL2Nxx;

标准包装：1

类别：集成电路（IC）

产品族：存储器

其它名称：256-W66BM6NBUAFIDKR

NAND FLASH芯片W66BM6NBUAFI规格：

存储器类型：易失

存储器格式：DRAM

技术：SDRAM - 移动 LPDDR4X

存储容量：2Gb （128M x 16）

存储器接口：LVSTL_11

时钟频率：1.6GHz

写周期时间 - 字，页：18ns

电压 - 供电：1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V

工作温度：-40°C ~ 95°C（TC）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：200-WFBGA

供应商器件封装：200-WFBGA（10x14.5）

NAND FLASH芯片W66BM6NBUAFI详细描述：SDRAM-移动-LPDDR4X-存储器-IC-2Gb-（128M-x-16）-LVSTL_11-1.6GHz-200-WFBGA（10x14.5）