Nand Flash闪存和Nor Flash闪存有什么不同
2020-10-15

Nand Flash闪存Nor Flash闪存有什么不同:

第一:写入/擦除操作的时间不同

读写擦除 NAND FLASH闪存器件以8~32KB的块进行,到执行同一写入/擦除的操作时间为4ms

读写擦除NOR FLASH闪存器件是以64~128KB的块进行,执行同一个写入/擦除操作的时间为5s


第二:接口不同

Nand Flash闪存使用较为复杂的I/O口来串行地存取数据,并且各个产品或厂商的方法可能各不相同。

Nor Flash闪存为SRAM接口,拥有足够的地址引脚用于寻址。


第三:容量成本不同

NAND Flash闪存的单元尺寸大约为NOR Flash闪存器件的一半,由于生产过程更为简单,因此价格较低。

NOR Flash闪存单元尺寸较大,生产过程也较为复杂,因此价格较高。


第四:耐用性不同

NAND Flash闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次。

NOR Flash闪存中每个块的最大擦写次数是十万次。


第五:NOR FLASH随机传bai输效率比NAND FLASH 高

原理:NORflash带有SRAM接口du,有足够的地址引脚来寻址zhi,可以很容易地存取其内dao部的每 一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同 。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。


第六:Nand flash比nor flash更加易于使用

原理:可以非常直接地使用基于NOR Flash的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直 接运行代码。由于需要I/O接口,NAND FLASH要复杂得多。

各种NAND FLASH器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。

向NAND FLASH器件写 入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏 块写入,这就意味着在NAND FLASH器件上自始至终都必须进行虚拟映射。


第七:升级

Nor Flash的升级较为麻烦,因为不同容量的Nor Flash的地址线需求不一样,所以在更换不同容量的Nor Flash芯片时不方便。而不同容量的Nand Flash的接口是固定的,所以升级简单。


第八:读写速度

NOR FLASH闪存的读速度比NAND FLASH闪存稍快一些。


扩展资料:

NOR FLASH闪存和NAND FLASH闪存是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。许多业内人士也搞不清楚NAND FLASH闪存技术相对于NOR FLASH闪存技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码并且需要多次擦写,这时NOR闪存更适合一些。而NAND FLASH则是高数据存储密度的理想解决方案。