WINBOND SDRAM 移动 LPSDR W987D2HBJX6E产品信息：

制造商：Winbond Electronics

制造商零件编号：W987D2HBJX6E

简要描述：IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL）：3（168 小时）

W987D2HBJX6E一般信息：

数据列表：W987D6HB/2HB;

标准包装：240

包装：托盘 

类别：集成电路（IC）

产品族：存储器

W987D2HBJX6E规格：

存储器类型：易失

存储器格式：DRAM

技术：SDRAM - 移动 LPSDR

存储容量：128Mb （4M x 32）

存储器接口：并联

时钟频率：166MHz

写周期时间 - 字，页：15ns

访问时间：5.4ns

电压 - 供电：1.7V ~ 1.95V

工作温度：-25°C ~ 85°C（TC）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：90-TFBGA

供应商器件封装：90-VFBGA（8x13）

详细描述：SDRAM-移动-LPSDR-存储器-W987D2HBJX6E-IC-128Mb-（4M-x-32）-并联-166MHz-5.4ns-90-VFBGA（8x13）